胡小鹏
教授
胡小鹏，南京大学现代工程与应用科学学院教授，博士生导师，教学与实验技术中心主任。
2007年在南京大学物理系获得凝聚态物理博士学位，毕业后留校任教。
2014年4月-2015年3月，澳大利亚国立大学，访问学者
2009年8月-2010年7月，借调教育部高等教育司
2007年8月-2007年12月，西藏大学理学院
研究兴趣：
（1）铌酸锂集成光子芯片；（2）非线性光场调控物理及器件；（3）微结构功能材料设计、制备和表征。
在Physical Review Letters、Nature Photonics、Nature Communications、Laser& Photonics Reviews、Advanced Materials等杂志上发表论文70余篇。
相关研究成果两次获得中国光学十大进展。
联系电话： 86-25-83621187
电子邮箱：xphu@nju.edu.cn
个人主页：http://slab.nju.edu.cn/teamdetail.aspx?id=21
2026年招收铌酸锂集成光子学研究方向的博士研究生（申请考核）/硕士研究生2-3人，欢迎报考！
代表成果：
（1）薄膜铌酸锂光子芯片加工平台建设。和南智光电产学研合作，发展了晶圆级薄膜铌酸锂波导的制备技术，波导损耗小于0.15dB/cm，整片合格率大于85%；铌酸锂侧壁倾角70-90度可调，在90度倾角时损耗小于1dB/cm；铌酸锂电光调制器芯片带宽大于67GHz，器件插损6-8dB。
（2）薄膜铌酸锂光子器件制备核心技术。发展了高品质周期极化LNOI的制备工艺，倍频效率达到理论值的80%，处于国际领先水平；首次在国际上提出“先刻蚀波导，再周期极化”的技术方案，攻克了铌酸锂铁点畴选择性刻蚀带来的额外损耗问题，并发展了脊型波导中铁电畴结构的可控形貌制备；在国际上首次利用图案电极极化技术制备了高质量的薄膜钽酸锂（LTOI）铁电畴结构；发展了x-cut薄膜铌酸锂上导电畴壁的电场极化制备技术，揭示了其中的畴翻转动力学过程。[Opt. Mater. Express 13, 3543-3552 (2023)-Editor's Pick；Appl. Phys. Lett.116, 101104 (2020); Nanophotonics13(18):3477-3484 (2024)]
（3）新型非线性集成光子器件。研制了基于薄膜铌酸锂芯片的超高亮度能量-时间纠缠光子源，光子对产率比现有技术提高了两个数量级，创造了双光子纠缠源产率的新纪录；基于二维铁电畴工程的片上波导横模高效、可拓展非线性频率接口；毫瓦级的连续波倍频绿光周期极化薄膜钽酸锂波导；研制了基于液态金属等离激元非线性的多合一，全光逻辑门，为高集成、高并行度、大数据密度、高速光子芯片的实现提供了新的方案。[Laser Photonics Rev. 2500385 (2025)；Opt. Lett. 50(4): 1125-1127 (2025)；Phys. Rev. Appl. 15, 064059 (2021);Nat. Commun.15, 1726 (2024)]
在研项目课题：
（1）国家重点研发计划“物态调控”专项课题-室温红外微型光谱仪，2024年12月-2029年11月，课题负责人；
（2）江苏省科技重大专项“低功耗短波可见光波段异质集成材料和器件研究”2025-2028年，项目负责人；
（3）科技创新2030-“量子通信与量子计算机”重大项目，2022-2026年，项目骨干成员；
（4）国家自然科学基金面上项目，2022年1月-2025年12月，项目负责人。
文章列表：
http://www.researcherid.com/rid/I-4183-2014
